Tranzistor IGBT s napětím do 1200V a proudem do 25A v pouzdru TO3P.
Tranzistor PNP s maximálním napětím 120V a proudem 25A v pouzdru TO3P od výrobce NTE
Tranzistor NPN s maximálním napětím 120V a proudem 25A v pouzdru TO3P od výrobce NTE
Tranzistor 2SB688 s maximálním napětím 120V a proudem 8A v pouzdru TO3P
Tranzistor TT2206 (2SC5793) od výrobce Sanyo s maximálním napětím 800V a proudem 10A v pouzdru TO3P MLH
Tranzistor PNP 2SA1106 s maximálním napětím 140V a proudem 10A v pouzdru TO3PN od výrobce Sanken
Tranzistor NPN s maximálním napětím 100V a proudem 8A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla
Dvojitý tranzistor N-mosfet + P-mosfet s maximálním napětím 12/-12V a proudem 5,6/-3,8A v pouzdru U-DFN2020-6 od výrobce Diodes
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247.
Bipolární tranzistor PNP; UCE 120V; IC 30A; výkon 200W; pouzdro TO3.
Tranzistor N-MOSFET dvojhradlový s maximálním napětím 20V a proudem 0,04A v pouzdru TO-50 od výrobce Tesla
Tranzistor PNP (Darlington) s napětím 100V, proudem 8A a výkonem 70W v pouzdru TO-220 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IXGR40N60C2D1 s maximálním napětím 600V a proudem 75A v pouzdru TO247 PLUS
Tranzistor BD438 s maximálním napětím 45V a proudem 4A v pouzdru TO126
Tranzistor P-MOSFET dvojitý s napětím 30V, proudem 4,9A a výkonem 2W v pouzdru SO8 od výrobce Infineon