Bipolární tranzistor NPN; UCE 20V; IC 2A; výkon 1,35W; pouzdro SOT223.
Tranzistor BSP125 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 0,12A v pouzdru SOT223
Tranzistor IRLL014TRPBF od výrobce Vishay s maximálním napětím 60V a proudem 2,7A v pouzdru SOT223
Tranzistor NDT3055L od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 60V a proudem 4A v pouzdru SOT223
Bipolární tranzistor NPN; UCE 80V; IC 1A; výkon 2W; pouzdro SOT223.
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247.
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V, proudem 13A a výkonem 52W v pouzdru TO-220-3 od výrobce Transphorm
Tranzistor PNP (Darlington) s napětím 100V, proudem 8A a výkonem 70W v pouzdru TO-220 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 13A v pouzdru TO252 od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 8,5A a výkonem 2,5W v pouzdru SO8 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s napětím 500V, proudem 17A a výkonem 190W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 175A a výkonem 330W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247.