Tranzistor BC850C od výrobce Nexperia s maximálním napětím 45V a proudem 0,1A v pouzdru SOT23
Tranzistor S9013-H od výrobce Yangzhou Yangjie Electronic Technology s maximálním napětím 25V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23
Tranzistor NPN Darlington s maximálním napětím 60V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23 od výrobce Infineon
Tranzistor BF545B od výrobce NXP s maximálním napětím 30V a proudem 0,015A v pouzdru SOT23
Tranzistor N-JFET s maximálním napětím 35V a proudem 0,05A v pouzdru SOT23 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 100V a proudem 0,17A v pouzdru SOT23 od výrobce Diodes Incorporated
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 30V a proudem 5,7A v pouzdru SOT23 od výrobce Alpha & Omega
Tranzistor BSS139 od výrobce Infineon s maximálním napětím 250V a proudem 0,1A v pouzdru SOT23
Tranzistor N-JFET MMBFJ310LT1G s maximálním napětím 25V a proudem 0,01A v pouzdru SOT23 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor BSS123 od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 0,19A v pouzdru SOT23
Tranzistor SMBTA92 od výrobce Infineon s maximálním napětím 300V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23
Tranzistor IRLML0040TRPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 40V a proudem 3,6A v pouzdru SOT23
Tranzistor SMBTA42 od výrobce Infineon s maximálním napětím 300V a proudem 0,5A v pouzdru SOT23
Tranzistor NPN s maximálním napětím 80V a proudem 0,1A v pouzdru SOT23 od výrobce Diotec Semiconductor
Tranzistor IRLML6346TRPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 20V a proudem 3,4A v pouzdru SOT23
Tranzistor BCR158E6327 od výrobce Infineon s maximálním napětím 50V a proudem 0,1A v pouzdru SOT23