Driver; budič MOSFET; 1,2A; 2 kanály; neinvertující; DIP8; THT.
Intagrovaný polomůstek pro high-/low-side switch s max. napětím 600V
High a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V a proudem 0,42A
High a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V a proudem 0,42A
Infineon IR2011SPBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
IXYS IX2113G high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V
Infineon IR2106PBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 600V
Infineon IR2011PBF high a low side N-MOSFET driver s max. napětím 200V
Integrovaný obvod IXYS IX4340UE pro řízení dvou low-side N-MOSFET s max. proudem 5A
Integrovaný obvod IXYS IX2113B pro řízení H/2 můstku (high a low side N-MOSFET) s max. napětím 600V
Budič LED displeje se společnou katodou programovatelný přes sériovou linku
Budič LED displejů; 4 číslice; 28 segmentů; 4÷6V; -20÷85°C; DIP40.
Budič LCD displejů; 4 číslice; 28 segmentů; 3÷6V; -40÷85°C; DIP40.
Driver; budič MOSFET; 1,2A; 2 kanály; invertující; DIP8; THT.
Driver; budič MOSFET; 1,5A; 2 kanály; invertující; DIP8; THT.
Driver; budič MOSFET; 1,5A; 2 kanály; neinvertující; DIP8; THT.